Serial NOR
Serial NOR 为系统提供高速且稳定的执行效能，低延迟存取设计实现即时开机与持续可靠的运作。产品容量完整覆盖1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V与3.3 V电压规格，满足不同功耗与介面需求。
晶豪科技提供KGD良品裸晶方案，确保高良率与长期可靠性，让系统设计更具弹性与安全性。
DDR2
产品容量涵盖从128 Mb至1Gb
DDR2在DDR 基础上加入4倍预取与1.8 V低电压设计，资料传输速率可超过400 MHz，同时降低功耗。内建自动刷新与低功耗待机模式，使其成为数位视讯转换盒与一般工业控制系统的主流选择，兼具效能与能源效率。
晶豪科技的DDR2系列提供128 Mb至1Gb多档容量，支援广泛的系统规格与长期可靠性需求。
DDR3
产品容量涵盖从512 Mb至8Gb
DDR3采用8倍预取与1.5 V/ 1.35 V低电压设计，频率可达933MHz以上，效能较 DDR2提升近2倍且功耗进一步降低。其高频宽与先进的自校正、资料隐蔽功能，使其在嵌入式系统、网通周边以及低阶个人电脑平台中表现卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3产品，兼容多种SOC与主板，为高效能与节能设计提供可靠基础。
LPDDR4
LPDDR4为最新一代低功耗记忆体，采用1.2 V超低电压、16 倍预取与Bank‑Group 架构，资料速率可达2133 MHz，单位功耗相较前代显著下降。内建资料注册功能提高系统稳定性。
适用于5G手机、车载资讯娱乐、AI边缘装置与高效能伺服器。4 Gb与8 Gb的容量选项，具弹性设计与长期可靠性，是极致效能与节能的首选方案。
Parallel NAND
Parallel NAND为高吞吐量应用而设计，采用多通道平行存取架构，有效提升读写速率。为大容量储存的应用，提供可靠且高效的资料储存解决方案。
Serial NAND
Serial NOR为系统提供高速且稳定的执行效能，低延迟存取设计实现即时开机与持续可靠的运作。
产品容量完整覆盖1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V与3.3 V电压规格，满足不同功耗与介面需求。
晶豪科技提供 KGD良品裸晶方案，确保高良率与长期可靠性，让系统设计更具弹性与安全性。
eMMC
eMMC (embedded MultiMediaCard)将NAND Flash和控制器封装在单一封装BGA晶片，具备体积小、低功耗、简化系统设计的优点。 ESMT提供的容量包含4 GB到64 GB。
