Parallel NOR
适用于嵌入式平台与旧式平台系统，Parallel NOR以平行通道与写入稳定性，实现即时载入与长期可靠的系统表现，兼容旧版硬体与软体介面，为其他记忆体厂商不再供货的传统平台提供最佳解决方案。
Serial NOR
Serial NOR 为系统提供高速且稳定的执行效能，低延迟存取设计实现即时开机与持续可靠的运作。产品容量完整覆盖1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V与3.3 V电压规格，满足不同功耗与介面需求。
晶豪科技提供KGD良品裸晶方案，确保高良率与长期可靠性，让系统设计更具弹性与安全性。
SDRAM
SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为单倍数据传输率同步动态随机存取记忆体; 可与系统时脉同步运作，提供稳定且高效率的资料存取效能。透过突发传输( Burst Mode) 与多Band 架构设计，SDRAM 能有效提升资料传输速度，适用于各类系统与工业应用。
晶豪科技 (ESMT) 提供完整的 SDRAM 记忆体解决方案，产品容量涵盖从16 Mb至512 Mb。
DDR
DDR（Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM）采用双边缘资料传输，较传统SDRAM的单边缘传输效率提升约两倍，一次存取的资料量扩大至四个位元组。
多Bank架构与自动刷新机制提升了资料完整性与存取稳定性，使系统在工业控制与嵌入式平台上能够保持持续的高效能输出。
产品容量范围从 64 Mb至512 Mb，兼容各类主流控制器与平台，为需要高频宽与可靠性的应用提供理想解决方案。
DDR2
DDR2在DDR 基础上加入4倍预取与1.8 V低电压设计，资料传输速率可超过400 MHz，同时降低功耗。内建自动刷新与低功耗待机模式，使其成为数位视讯转换盒与一般工业控制系统的主流选择，兼具效能与能源效率。
晶豪科技的DDR2系列提供128 Mb至1Gb多档容量，支援广泛的系统规格与长期可靠性需求。
DDR3
DDR3采用8倍预取与1.5 V/ 1.35 V低电压设计，频率可达933MHz以上，效能较 DDR2提升近2倍且功耗进一步降低。其高频宽与先进的自校正、资料隐蔽功能，使其在嵌入式系统、网通周边以及低阶个人电脑平台中表现卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3产品，兼容多种SOC与主板，为高效能与节能设计提供可靠基础。
Parallel NAND
Parallel NAND为高吞吐量应用而设计，采用多通道平行存取架构，有效提升读写速率。为大容量储存的应用，提供可靠且高效的资料储存解决方案。
