高速效率，随手可得
从智慧型手机到电脑，晶片是流畅体验的基础，提供了高速传输与资料运算、无线感测技术能力，使多项核心IC协同运作，让工作、娱乐与学习皆能流畅无碍。
Serial NOR
Serial NOR 为系统提供高速且稳定的执行效能，低延迟存取设计实现即时开机与持续可靠的运作。产品容量完整覆盖1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V与3.3 V电压规格，满足不同功耗与介面需求。
晶豪科技提供KGD良品裸晶方案，确保高良率与长期可靠性，让系统设计更具弹性与安全性。
PSRAM
PSRAM (Pseudo‑SRAM)结合DRAM的高密度与SRAM的即时读写特性，支援 100-200 MHz工作频率，可依应用需求灵活配置容量与速度。
内建自动刷新机制，免除外部控制器负担，同时降低系统功耗且保持低延迟存取。特别适合空间受限、需高速缓冲的穿戴式感测、智慧家居及工业IoT装置。
晶豪科技提供高良率与长期可靠的PSRAM产品，协助客户在高密度封装与功耗优化之间取得最佳平衡。
SDRAM
产品容量涵盖从16 Mb至512 Mb
SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为单倍数据传输率同步动态随机存取记忆体; 可与系统时脉同步运作，提供稳定且高效率的资料存取效能。透过突发传输( Burst Mode) 与多Band 架构设计，SDRAM 能有效提升资料传输速度，适用于各类系统与工业应用。
晶豪科技 (ESMT) 提供完整的 SDRAM 记忆体解决方案，产品容量涵盖从16 Mb至512 Mb。
DDR
产品容量范围从 64 Mb至512 Mb
DDR（Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM）采用双边缘资料传输，较传统SDRAM的单边缘传输效率提升约两倍，一次存取的资料量扩大至四个位元组。
多Bank架构与自动刷新机制提升了资料完整性与存取稳定性，使系统在工业控制与嵌入式平台上能够保持持续的高效能输出。
产品容量范围从 64 Mb至512 Mb，兼容各类主流控制器与平台，为需要高频宽与可靠性的应用提供理想解决方案。
DDR2
产品容量涵盖从128 Mb至1Gb
DDR2在DDR 基础上加入4倍预取与1.8 V低电压设计，资料传输速率可超过400 MHz，同时降低功耗。内建自动刷新与低功耗待机模式，使其成为数位视讯转换盒与一般工业控制系统的主流选择，兼具效能与能源效率。
晶豪科技的DDR2系列提供128 Mb至1Gb多档容量，支援广泛的系统规格与长期可靠性需求。
DDR3
产品容量涵盖从512 Mb至8Gb
DDR3采用8倍预取与1.5 V/ 1.35 V低电压设计，频率可达933MHz以上，效能较 DDR2提升近2倍且功耗进一步降低。其高频宽与先进的自校正、资料隐蔽功能，使其在嵌入式系统、网通周边以及低阶个人电脑平台中表现卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3产品，兼容多种SOC与主板，为高效能与节能设计提供可靠基础。
LPSDRAM
LPSDRAM（Low‑Power SDRAM）在保持同步SDRAM架构的同时，以1.8 V超低电压运作，并具备自动功耗管理机制，待机时电流显著降低。多Bank与突发传输设计提升资料吞吐量，适合工业控制、车载感测与嵌入式系统等对功耗与稳定性都有严格要求的应用。
LPSDRAM产品系列的容量最大支持512 Mb，兼容主流控制器，为可靠且节能的记忆体解决方案。
LPDDR
LPDDR (Low‑Power DDR)采用双边缘资料传输与1.8 V低电压，较传统DDR提供更高频宽的同时降低功耗。4 倍预取与多Bank架构确保高速存取与资料完整性，特别适用于智慧穿戴与低功耗物联网装置。
容量范围64 Mb至512 Mb，支援多种时脉与介面规格，为需要长续航与高效能的移动平台提供理想记忆体。
LPDDR2
LPDDR2在LPDDR基础上引入4 倍预取与1.2 V‑1.8 V低电压，资料速率可达 533 MHz，具备自动刷新与低功耗待机模式。此特性使其在物联网与工业控制系统中同时提供高效能与能源效率。
提供512 Mb至4Gb多档容量，兼容多种SoC与平台，满足中高阶移动与嵌入式应用需求。
LPDDR3
LPDDR3采用8 倍预取与1.5 V (或1.35 V低功耗型)设计，效能较前代提升显著且功耗进一步降低。自校正与资料隐蔽功能提升资料可靠度，特别适合平板与高阶嵌入式平台。
晶豪科技提供1Gb与4Gb的容量，支援多种记忆体控制器，为高频宽与低功耗的移动设备提供稳定支撑。
LPDDR4
LPDDR4为最新一代低功耗记忆体，采用1.2 V超低电压、16 倍预取与Bank‑Group 架构，资料速率可达2133 MHz，单位功耗相较前代显著下降。内建资料注册功能提高系统稳定性。
适用于5G手机、车载资讯娱乐、AI边缘装置与高效能伺服器。4 Gb与8 Gb的容量选项，具弹性设计与长期可靠性，是极致效能与节能的首选方案。
Parallel NAND
Parallel NAND为高吞吐量应用而设计，采用多通道平行存取架构，有效提升读写速率。为大容量储存的应用，提供可靠且高效的资料储存解决方案。
Serial NAND
Serial NOR为系统提供高速且稳定的执行效能，低延迟存取设计实现即时开机与持续可靠的运作。
产品容量完整覆盖1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V与3.3 V电压规格，满足不同功耗与介面需求。
晶豪科技提供 KGD良品裸晶方案，确保高良率与长期可靠性，让系统设计更具弹性与安全性。
