Serial NOR
Serial NOR 为系统提供高速且稳定的执行效能，低延迟存取设计实现即时开机与持续可靠的运作。产品容量完整覆盖1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V与3.3 V电压规格，满足不同功耗与介面需求。
晶豪科技提供KGD良品裸晶方案，确保高良率与长期可靠性，让系统设计更具弹性与安全性。
PSRAM
PSRAM (Pseudo‑SRAM)结合DRAM的高密度与SRAM的即时读写特性，支援 100-200 MHz工作频率，可依应用需求灵活配置容量与速度。
内建自动刷新机制，免除外部控制器负担，同时降低系统功耗且保持低延迟存取。特别适合空间受限、需高速缓冲的穿戴式感测、智慧家居及工业IoT装置。
晶豪科技提供高良率与长期可靠的PSRAM产品，协助客户在高密度封装与功耗优化之间取得最佳平衡。
DDR3
DDR3采用8倍预取与1.5 V/ 1.35 V低电压设计，频率可达933MHz以上，效能较 DDR2提升近2倍且功耗进一步降低。其高频宽与先进的自校正、资料隐蔽功能，使其在嵌入式系统、网通周边以及低阶个人电脑平台中表现卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3产品，兼容多种SOC与主板，为高效能与节能设计提供可靠基础。
DDR4
DDR4为最新代行动与伺服器记忆体，支援1.2 V超低电压与1600 MHz高速频率，更多的预取与更低的单位功耗，加上内建资料注册功能，有效提升系统稳定性与资料完整性，广泛应用于车载资讯娱乐、网路摄影机与Wi-Fi7路由器。
晶豪科技的4Gb DDR4产品，具弹性设计与长期可靠性保障。
LPDDR3
LPDDR3采用8 倍预取与1.5 V (或1.35 V低功耗型)设计，效能较前代提升显著且功耗进一步降低。自校正与资料隐蔽功能提升资料可靠度，特别适合平板与高阶嵌入式平台。
晶豪科技提供1Gb与4Gb的容量，支援多种记忆体控制器，为高频宽与低功耗的移动设备提供稳定支撑。
LPDDR4
LPDDR4为最新一代低功耗记忆体，采用1.2 V超低电压、16 倍预取与Bank‑Group 架构，资料速率可达2133 MHz，单位功耗相较前代显著下降。内建资料注册功能提高系统稳定性。
适用于5G手机、车载资讯娱乐、AI边缘装置与高效能伺服器。4 Gb与8 Gb的容量选项，具弹性设计与长期可靠性，是极致效能与节能的首选方案。
Serial NAND
针对数据储存需求，Serial NAND具备高速串行传输与低功耗特性，内建的ECC错误更正设计，能在快速写入的同时提供长期安全的数据保护。
紧凑的WSON 6 × 8 mm小封装可大幅缩减PCB布局面积，让电路设计更简洁、成本更低。
eMMC
eMMC (embedded MultiMediaCard)将NAND Flash和控制器封装在单一封装BGA晶片，具备体积小、低功耗、简化系统设计的优点。 ESMT提供的容量包含4 GB到64 GB。
