Serial NOR
Serial NOR為系統提供高速且穩定的執行效能，低延遲存取設計實現即時開機與持續可靠的運作。產品容量完整覆蓋1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V與3.3 V電壓規格，滿足不同功耗與介面需求。
晶豪科技提供 KGD良品裸晶方案，確保高良率與長期可靠性，讓系統設計更具彈性與安全性。
PSRAM
PSRAM (Pseudo‑SRAM)結合DRAM的高密度與SRAM的即時讀寫特性，支援 100-200 MHz工作頻率，可依應用需求靈活配置容量與速度。
內建自動刷新機制，免除外部控制器負擔，同時降低系統功耗且保持低延遲存取。特別適合空間受限、需高速緩衝的穿戴式感測、智慧家居及工業IoT裝置。
晶豪科技提供高良率與長期可靠的PSRAM產品，協助客戶在高密度封裝與功耗優化之間取得最佳平衡。
DDR3
DDR3採用8倍預取與1.5 V/ 1.35 V低電壓設計，頻率可達933MHz以上，效能較 DDR2提升近2倍且功耗進一步降低。其高頻寬與先進的自校正、資料隱蔽功能，使其在嵌入式系統、網通周邊以及低階個人電腦平台中表現卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3產品，兼容多種SOC與主板，為高效能與節能設計提供可靠基礎。
DDR4
DDR4為最新代行動與伺服器記憶體，支援1.2 V超低電壓與1600 MHz高速頻率，更多的預取與更低的單位功耗，加上內建資料註冊功能，有效提升系統穩定性與資料完整性，廣泛應用於車載資訊娛樂、網路攝影機與Wi-Fi7路由器。
晶豪科技的4Gb DDR4產品，具彈性設計與長期可靠性保障。
LPDDR3
LPDDR3採用8 倍預取與1.5 V (或1.35 V低功耗型)設計，效能較前代提升顯著且功耗進一步降低。自校正與資料隱蔽功能提升資料可靠度，特別適合平板與高階嵌入式平台。
晶豪科技提供1Gb與4Gb的容量，支援多種記憶體控制器，為高頻寬與低功耗的移動設備提供穩定支撐。
LPDDR4
LPDDR4為最新一代低功耗記憶體，採用1.2 V超低電壓、16 倍預取與Bank‑Group 架構，資料速率可達2133 MHz，單位功耗相較前代顯著下降。內建資料註冊功能提高系統穩定性。
適用於5G手機、車載資訊娛樂、AI邊緣裝置與高效能伺服器。4 Gb與8 Gb的容量選項，具彈性設計與長期可靠性，是極致效能與節能的首選方案。
Serial NAND
針對資料儲存需求，Serial NAND具備高速序列傳輸與低功耗特性，內建的ECC錯誤更正設計，能在快速寫入的同時提供長期安全的資料保護。
緊湊的WSON 6 × 8 mm小封裝可大幅縮減PCB佈局面積，讓電路設計更簡潔、成本更低。
eMMC
eMMC (embedded MultiMediaCard)將NAND Flash和控制器封裝在單一封裝BGA晶片，具備體積小、低功耗、簡化系統設計的優點。ESMT提供的容量包含4 GB到64 GB。
