PSRAM
PSRAM (Pseudo‑SRAM)結合DRAM的高密度與SRAM的即時讀寫特性，支援 100-200 MHz工作頻率，可依應用需求靈活配置容量與速度。
內建自動刷新機制，免除外部控制器負擔，同時降低系統功耗且保持低延遲存取。特別適合空間受限、需高速緩衝的穿戴式感測、智慧家居及工業IoT裝置。
晶豪科技提供高良率與長期可靠的PSRAM產品，協助客戶在高密度封裝與功耗優化之間取得最佳平衡。
SDRAM
產品容量涵蓋從16Mb至512Mb
SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 為單倍數據傳輸率同步動態隨機存取記憶體; 可與系統時脈同步運作，提供穩定且高效率的資料存取效能。透過突發傳輸( Burst Mode) 與多Band 架構設計，SDRAM 能有效提升資料傳輸速度，適用於各類系統與工業應用。
晶豪科技 (ESMT) 提供完整的 SDRAM 記憶體解決方案，產品容量涵蓋從16 Mb至512 Mb。
DDR
產品容量範圍從 64 Mb至512 Mb
DDR（Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM）採用雙邊緣資料傳輸，較傳統SDRAM的單邊緣傳輸效率提升約兩倍，一次存取的資料量擴大至四個位元組。
多Bank架構與自動刷新機制提升了資料完整性與存取穩定性，使系統在工業控制與嵌入式平台上能夠保持持續的高效能輸出。
產品容量範圍從 64 Mb至512 Mb，兼容各類主流控制器與平台，為需要高頻寬與可靠性的應用提供理想解決方案。
DDR2
產品容量涵蓋從128 Mb至1Gb
DDR2在DDR 基礎上加入4倍預取與1.8 V低電壓設計，資料傳輸速率可超過400 MHz，同時降低功耗。內建自動刷新與低功耗待機模式，使其成為數位視訊轉換盒與一般工業控制系統的主流選擇，兼具效能與能源效率。
晶豪科技的DDR2系列提供128 Mb至1Gb多檔容量，支援廣泛的系統規格與長期可靠性需求。
DDR3
產品容量涵蓋從512 Mb至8Gb
DDR3採用8倍預取與1.5 V/ 1.35 V低電壓設計，頻率可達933MHz以上，效能較 DDR2提升近2倍且功耗進一步降低。其高頻寬與先進的自校正、資料隱蔽功能，使其在嵌入式系統、網通周邊以及低階個人電腦平台中表現卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3產品，兼容多種SOC與主板，為高效能與節能設計提供可靠基礎。
DDR4
支援1.2 V超低電壓與1600 MHz高速頻率
DDR4為最新代行動與伺服器記憶體，支援1.2 V超低電壓與1600 MHz高速頻率，更多的預取與更低的單位功耗，加上內建資料註冊功能，有效提升系統穩定性與資料完整性，廣泛應用於車載資訊娛樂、網路攝影機與Wi-Fi7路由器。
晶豪科技的4Gb DDR4產品，具彈性設計與長期可靠性保障。
LPDDR3
LPDDR3採用8 倍預取與1.5 V (或1.35 V低功耗型)設計，效能較前代提升顯著且功耗進一步降低。自校正與資料隱蔽功能提升資料可靠度，特別適合平板與高階嵌入式平台。
晶豪科技提供1Gb與4Gb的容量，支援多種記憶體控制器，為高頻寬與低功耗的移動設備提供穩定支撐。
LPDDR4
LPDDR4為最新一代低功耗記憶體，採用1.2 V超低電壓、16 倍預取與Bank‑Group 架構，資料速率可達2133 MHz，單位功耗相較前代顯著下降。內建資料註冊功能提高系統穩定性。
適用於5G手機、車載資訊娛樂、AI邊緣裝置與高效能伺服器。4 Gb與8 Gb的容量選項，具彈性設計與長期可靠性，是極致效能與節能的首選方案。
eMMC
eMMC (embedded MultiMediaCard)將NAND Flash和控制器封裝在單一封裝BGA晶片，具備體積小、低功耗、簡化系統設計的優點。ESMT提供的容量包含4 GB到64 GB。
