EHB0610
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Specifications
規格表
EHB0610
Density
P+N MOS
Package
SOP-16
Architecture
P+N MOS
Vin min (V)
8
Vin max (V)
36
Max source current (Iosc)(A)
0.1
Max sink current (Iosi)(A)
0.1
Adjustable dead-time
150ns
Dedicated Fault pin output
N
Sleep mode
N
Vin UVLO(V)
1.8
Protection Type
Prevent shoot-through, Undervoltage lockout
Operating Temperature
-40°C to 105°C
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