Serial NOR
Serial NOR 为系统提供高速且稳定的执行效能，低延迟存取设计实现即时开机与持续可靠的运作。产品容量完整覆盖1 Mb 至512 Mb，支援1.8 V与3.3 V电压规格，满足不同功耗与介面需求。
晶豪科技提供KGD良品裸晶方案，确保高良率与长期可靠性，让系统设计更具弹性与安全性。
PSRAM
PSRAM (Pseudo‑SRAM)结合DRAM的高密度与SRAM的即时读写特性，支援 100-200 MHz工作频率，可依应用需求灵活配置容量与速度。
内建自动刷新机制，免除外部控制器负担，同时降低系统功耗且保持低延迟存取。特别适合空间受限、需高速缓冲的穿戴式感测、智慧家居及工业IoT装置。
晶豪科技提供高良率与长期可靠的PSRAM产品，协助客户在高密度封装与功耗优化之间取得最佳平衡。
SDRAM
SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为单倍数据传输率同步动态随机存取记忆体; 可与系统时脉同步运作，提供稳定且高效率的资料存取效能。透过突发传输( Burst Mode) 与多Band 架构设计，SDRAM 能有效提升资料传输速度，适用于各类系统与工业应用。
晶豪科技 (ESMT) 提供完整的 SDRAM 记忆体解决方案，产品容量涵盖从16 Mb至512 Mb。
DDR2
DDR2在DDR 基础上加入4倍预取与1.8 V低电压设计，资料传输速率可超过400 MHz，同时降低功耗。内建自动刷新与低功耗待机模式，使其成为数位视讯转换盒与一般工业控制系统的主流选择，兼具效能与能源效率。
晶豪科技的DDR2系列提供128 Mb至1Gb多档容量，支援广泛的系统规格与长期可靠性需求。
DDR3
DDR3采用8倍预取与1.5 V/ 1.35 V低电压设计，频率可达933MHz以上，效能较 DDR2提升近2倍且功耗进一步降低。其高频宽与先进的自校正、资料隐蔽功能，使其在嵌入式系统、网通周边以及低阶个人电脑平台中表现卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3产品，兼容多种SOC与主板，为高效能与节能设计提供可靠基础。
DDR4
DDR4为最新代行动与伺服器记忆体，支援1.2 V超低电压与1600 MHz高速频率，更多的预取与更低的单位功耗，加上内建资料注册功能，有效提升系统稳定性与资料完整性，广泛应用于车载资讯娱乐、网路摄影机与Wi-Fi7路由器。
晶豪科技的4Gb DDR4产品，具弹性设计与长期可靠性保障。
LPDDR3
LPDDR3采用8 倍预取与1.5 V (或1.35 V低功耗型)设计，效能较前代提升显著且功耗进一步降低。自校正与资料隐蔽功能提升资料可靠度，特别适合平板与高阶嵌入式平台。
晶豪科技提供1Gb与4Gb的容量，支援多种记忆体控制器，为高频宽与低功耗的移动设备提供稳定支撑。
LPDDR4
LPDDR4为最新一代低功耗记忆体，采用1.2 V超低电压、16 倍预取与Bank‑Group 架构，资料速率可达2133 MHz，单位功耗相较前代显著下降。内建资料注册功能提高系统稳定性。
适用于5G手机、车载资讯娱乐、AI边缘装置与高效能伺服器。4 Gb与8 Gb的容量选项，具弹性设计与长期可靠性，是极致效能与节能的首选方案。
MCP
MCP (Multi‑Chip Package)将 NAND Flash、LPDDR记忆体与控制器整合于单颗BGA芯片，体积小、功耗低，让板载布局与韧体开发更为简易。
晶豪科技提供多种容量的NAND + LPDDR2/LPDDR4x组合选项，灵活满足不同需求。
eMMC
eMMC (embedded MultiMediaCard)将NAND Flash和控制器封装在单一封装BGA晶片，具备体积小、低功耗、简化系统设计的优点。 ESMT提供的容量包含4 GB到64 GB。
