DDR3
產品容量涵蓋從512 Mb至8Gb
DDR3採用8倍預取與1.5 V/ 1.35 V低電壓設計，頻率可達933MHz以上，效能較 DDR2提升近2倍且功耗進一步降低。其高頻寬與先進的自校正、資料隱蔽功能，使其在嵌入式系統、網通周邊以及低階個人電腦平台中表現卓越。
晶豪科技提供512 Mb至8Gb的DDR3產品，兼容多種SOC與主板，為高效能與節能設計提供可靠基礎。
DDR4
支援1.2 V超低電壓與1600 MHz高速頻率
DDR4為最新代行動與伺服器記憶體，支援1.2 V超低電壓與1600 MHz高速頻率，更多的預取與更低的單位功耗，加上內建資料註冊功能，有效提升系統穩定性與資料完整性，廣泛應用於車載資訊娛樂、網路攝影機與Wi-Fi7路由器。
晶豪科技的4Gb DDR4產品，具彈性設計與長期可靠性保障。
LPDDR4
LPDDR4為最新一代低功耗記憶體，採用1.2 V超低電壓、16 倍預取與Bank‑Group 架構，資料速率可達2133 MHz，單位功耗相較前代顯著下降。內建資料註冊功能提高系統穩定性。
適用於5G手機、車載資訊娛樂、AI邊緣裝置與高效能伺服器。4 Gb與8 Gb的容量選項，具彈性設計與長期可靠性，是極致效能與節能的首選方案。
Serial NAND
針對資料儲存需求，Serial NAND具備高速序列傳輸與低功耗特性，內建的ECC錯誤更正設計，能在快速寫入的同時提供長期安全的資料保護。
緊湊的WSON 6 × 8 mm小封裝可大幅縮減PCB佈局面積，讓電路設計更簡潔、成本更低。
MCP
MCP (Multi‑Chip Package)將 NAND Flash、LPDDR記憶體與控制器整合於單顆BGA芯片，體積小、功耗低，讓板載佈局與韌體開發更為簡易。
晶豪科技提供多種容量的NAND + LPDDR2/LPDDR4x組合選項，靈活滿足不同需求。
eMMC
eMMC (embedded MultiMediaCard)將NAND Flash和控制器封裝在單一封裝BGA晶片，具備體積小、低功耗、簡化系統設計的優點。ESMT提供的容量包含4 GB到64 GB。
